AC110V转5V转12V非隔离降压芯片AH8669工作采用了多模式 PWM 控制技术,PWM开关频率处于合理的范围内。在空载或轻载条件下,IC就会工作在“跳周期模式”来减少开关损耗,从而实现低待机功耗和高转换效率的实现。有效简化了外围电路设计,减少PCB的布局面积,能够轻松面对应用产品等电源的高性价比、小体积的设计要求。和提升线性调整率和负载调整率在工作中消除了系统音频噪声的消除 和发热低
AC110V转5V转12V非隔离降压芯片特点:
软启动功能,减少应力功率MOSFET
降低EMI 频率抖动功能
内置650V 高耐压低阻值MOSFET
跳周期模式控制的改进,提高效率降低待机功耗
消除音频噪声
综合保护性能
带迟滞功能的VDD欠压保护
逐周的过流阈值设置,在全电压范围内恒定输出功率
过载保护(OLP)与自动恢复
自动恢复的过温保护(OTP)
自动恢复的VDD过压保护(OVP)
AC110V转5V转12V非隔离降压芯片参数
输入电压:35 -400v
输出电压 : 3.3V-36V
输出 电流 : 500mA
输出功率 : 0.8W
工作环镜 :-10℃~+60℃ 20%~90%
储存环境 :-20℃~+85℃ ADD开启电压 :7.5V VDD 工作电流 :60KHZ 800LIA 内部软启动时间 :3ms 开关频率 :46-60KHZ MOSFET击穿电压: 650V
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